在2026年3月16日的英伟达GTC全球技术大会上，美光科技重磅宣布其革命性存储产品线已进入大规模量产阶段。这些产品包括HBM4高带宽内存、SOCAMM2内存模块以及业界首款PCIe第六代数据中心固态硬盘，均针对英伟达Vera Rubin AI平台深度优化，旨在为智能体AI和高性能计算负载提供核心存储算力支撑。这一进展标志着AI计算基础设施的重大突破，预示着市场供应将迎来新一轮升级。
HBM4高带宽内存作为此次量产的核心产品，首批36GB 12层堆叠版本已于2026年第一季度开始出货。该产品引脚速率突破11Gb/s，提供超过2.8TB/s的内存带宽，相较上一代HBM3E，带宽提升2.3倍，同时功耗效率优化超过20%。美光还向客户交付了48GB 16层堆叠版本的样品，单颗容量提升33%，为更高规格算力需求预留性能空间。在行业应用中，这一产品将显著提升AI服务器的能效比，推动数据中心向绿色低碳转型，同时为渠道动态注入新活力。 据行业消息，REALTEK代理近期已获得原厂最新一批技术文档和设计资源，可为客户提供更深入的方案支持。工程师团队可随时为您解答关于REALTEK芯片选型、功耗优化、PCB设计等方面的问题，帮助您加速产品上市周期。
SOCAMM2内存模块的192GB版本率先量产，将应用于英伟达Vera Rubin NVL72系统及独立Vera CPU平台。单颗CPU支持高达2TB内存容量与1.2TB/s带宽，产品线容量覆盖48GB至256GB，可灵活适配不同规模AI服务器配置，兼顾低功耗与大容量需求。在市场供应层面，这一产品线通过模块化设计，满足了从边缘计算到云端部署的多样化需求，为AI硬件生态提供关键支撑，促进产业协同创新。
PCIe第六代固态硬盘（Micron 9650）作为业内首款量产产品，针对英伟达BlueField-4 STX架构深度优化。顺序读取速度最高达28GB/s，随机
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