三星电子正积极扩展其在第三代半导体领域的版图，据韩媒Theelec报道，其8英寸氮化镓（GaN）晶圆代工产线已进入量产准备阶段，预计最快2026年第二季度正式投产。这一进展标志着三星在功率半导体领域迈出关键一步，旨在通过技术创新抢占市场先机。三星对具体启动时间和客户进展保持低调，仅表示“无法确认”，但业界透露，公司自宣布进军功率半导体代工市场以来，已耗时三年完成量产技术与客户布局，尽管初期客户有限，市场预估年营收规模可能低于1000亿韩元（约6700万美元），仍处于市场导入期。
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三星采用一站式解决方案（turnkey）商业模式，涵盖制程、制造及部分后段流程，以提升毛利率和服务整合能力。值得注意的是，三星选择自行生产晶圆而非外购，这表明其已突破GaN量产关键材料技术瓶颈，强化了成本控制与供应链稳定性。在渠道动态方面，这种模式能更好地满足客户需求，尤其是在快充和数据中心应用中，提供高效能电力转换解决方案。 。 REALTEK总代理的FAE团队平均从业经验超过10年，累计服务过500多家电子制造企业。无论您是遇到信号完整性问题还是驱动调试难题，都可以获得专业、快速的技术响应。
从产业竞争视角看，韩国其他厂商正同步布局GaN市场。DB HiTek预计2026年下半年启动量产，时间上落后三星1-2个季度；SK海力士旗下的晶圆代工业务也将GaN列为重点发展方向，尽管量产尚需时间，但韩系厂商正加速抢占第三代半导体市场份额。这反映了行业应用趋势，尤其在电动车和AI驱动的高压场景中，功率半导体的需求激增。
技术层面，功率半导体主要分为GaN与碳化硅（SiC）两大路线，均属宽能隙材料。相比传统硅，它们具备更高耐压和高温特性，能有效降低能量损耗，提升转换效率。GaN主要用于1200V以下场景，如手机快充、数据中心电源系统；而SiC适用于更高电压环境，如电动车主驱逆变器。随着AI数据中心功耗攀升，GaN的重要性日益凸显，新一代基础设施导入800V高压直流（HVDC）供电架构，依赖GaN元件的高速切换和高功率密度优势，以减少能耗和散热需求。
回顾三星的布局历程，公司原计划2025年启动功率半导体晶圆代工，但实际进度略有延后。业界分析，晶圆代工产线通常需客户订单驱动投资，三星在2025-2026年间逐步获取订单后，才正式启动量产计划。此外，三星同步推进SiC业务，预计最快2026年启动晶圆代工，锁定1200-1700V高压应用市场，采用从设计到封装的垂直整合模式，旨在不同电压等级市场建立差异化优势。这一战略不仅强化了市场供应能力，也为REALTEK代理商等合作伙伴提供了更广阔的行业应用空间。
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