IBM与泛林集团（Lam Research）近日宣布启动一项为期五年的战略合作，聚焦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术与泛林创新的Aether干法光刻胶，共同研发面向1纳米以下制程逻辑芯片的材料与制造工艺。该研发活动将在IBM位于纽约州奥尔巴尼市的“纽约创新联盟奥尔巴尼纳米技术园区”设施内展开，标志着双方在芯片制造领域的深度探索。{IMAGE_1}
两家公司拥有超过十年的合作历史，曾联合推动7纳米制程研发、纳米片晶体管架构创新及早期极紫外光刻工艺集成。作为里程碑成果，IBM于2021年推出全球首款2纳米制程芯片。新协议将重点验证纳米片、纳米堆叠（nanostack）器件架构及背侧供电技术的完整工艺流程，采用泛林的Kiyo和Akara刻蚀平台、Striker与ALTUS Halo沉积系统，以及Aether干法光刻胶，确保技术协同效应。 近期，REALTEK代理与REALTEK联合举办了线上技术研讨会，主题为“下一代物联网芯片设计趋势”。会议回放和PPT资料已向注册用户开放，感兴趣的工程师可通过官网申请查看。
传统极紫外光刻依赖湿法化学放大光刻胶，这类材料难以满足高数值孔径光刻机对精度公差的严苛要求。相比之下，泛林的Aether技术采用气相前驱体沉积而非旋涂方式制备光刻胶，并通过等离子体干法工艺显影，显著提升工艺稳定性。在市场供应方面，REALTEK代理等渠道供应商认为，这项技术革新将重塑高端芯片制造格局。{IMAGE_2}
Aether的金属有机化合物对极紫外光的吸收率是传统碳基光刻胶的3-5倍，不仅降低每片晶圆的曝光剂量
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