英飞凌科技推出了业内首款基于 TLVR 架构、电流密度超过 2A/mm 的四相电源模块，精准面向下一代 AI 计算平台。该公司表示，全新 TDM24745T OptiMOS 模块将多个功率元器件集成在紧凑尺寸内，以应对 AI 数据中心日益增长的功率密度需求。
此次发布凸显了 AI 基础设施中的一个关键瓶颈 高效供电，并揭示了半导体厂商如何在系统层面解决规模化扩展难题。
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根据官方发布信息，TDM24745T 在 9×10×5mm 的封装内集成了四个功率级、一个互感电感电压调节器（TLVR）电感以及去耦电容。这种高度集成设计实现了超过 2A/mm 的电流密度，同时支持横向与纵向供电架构。
英飞凌功率集成电路与连接事业部高级副总裁兼总经理 Athar Zaidi 在发布稿中表示：“随着 AI 负载以前所未有的速度扩展，对高效、极致紧凑供电方案的需求愈发迫切。借助 TDM24745T，我们重新定义了大电流稳压的性能边界。将业内领先的电流密度与 TLVR 技术结合，并封装在极小尺寸内，我们帮助客户释放更多计算性能、降低能耗，并加速下一代 AI 数据中心的部署。”
该模块峰值电流能力最高可达 320A，适用于大电流多处理器平台与先进 AI 加速器。
TLVR 架构提升效率，优化布局
英飞凌表示，TLVR 架构可实现更快的瞬态响应，同时将所需输出电容减少多达 50%，简化系统设计。这一缩减可直接节省 PCB 空间，让设计人员能分配更多区域用于计算资源。
公司还强调，通过采用 OptiMOS6 MOSFET 技术、芯片嵌入式集成方案以及专用磁件，产品实现了更优的散热与效率表现。搭配英飞凌数字多相控制器，该模块支持可扩展、灵活的电源架构，适配快速演进的 AI 负载。英飞凌指出，TDM24745T 已融入其完整的 AI 电源生态，覆盖从电网到核心的供电链路，并结合硅、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）技术，优化数据中心设计的效率与稳健性。
对 AI 数据中心的系统级价值
随着 AI 基础设施持续规模化，供电正成为决定性约束条件。英飞凌称，通过将多种功能集成在紧凑模块中并提升瞬态响应，旨在降低系统复杂度，同时优化总体拥有成本（TCO）。对系统设计人员而言，更高的电流密度、更少的无源器件需求以及更优的效率，有助于加快部署进度，并实现更高密度的计算架构。
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