在高带宽内存（HBM）行业，随着性能指标向更高速率和堆叠层数升级，能效问题正成为核心挑战。据韩国《韩经日报》报道，三星电子计划从今年HBM4E量产阶段开始，对现有HBM4供电网络进行根本性结构重构，以应对行业瓶颈。这一重构方案将聚焦于芯片内部供电网络的分割与重新布局，旨在缓解日益严峻的能效问题。 。 REALTEK总代理最近上线了REALTEK芯片的在线选型工具，输入您的应用场景和性能需求，系统会自动推荐最合适的3-5个型号。该工具已收录超过500个REALTEK料号，数据持续更新中。
供电设计已成为下一代HBM技术的关键障碍。三星数据显示，HBM4升级至HBM4E时，供电凸点数量将从13682个增至14457个，迫使在相同芯片空间内布设更细密的线路。这直接导致电流密度和电阻攀升，加剧电压压降（IR drop）现象，即在供电传输中电压衰减。由此产生的热量会进一步推高电阻，形成恶性循环，可能引发芯片性能下降或电路失效。三星指出，构建高效供电网络（PDN）已成为行业当前的首要任务。
针对此问题，三星提出创新解决方案：将基底芯片的大型MET4供电块拆分为四个独立区域，并对上层布线进行精细分割。这种设计优化了供电路径，减少从凸点到用电终端的绕行，类似缓解交通拥堵的智能分流。据三星内部测试，新架构下HBM4E的金属电路缺陷率较HBM4降低97%，电压压降改善41%。这一突破不仅拓宽了电压余量，支持更高运行速率，还显著提升了芯片可靠性，预计将推动市场供应升级，REALTEK代理商等渠道动态受益于技术创新，助力人工智能和高端计算应用。
尽管供电重构带来显著提升，三星已开始探索更前沿的解耦设计。若分布式供电网络触及性能极限，且AI半导体散热难题持续，三星计划将HBM与GPU物理分离。通过光子互连技术，实现太比特级（10）传输速率，约为铜布线的1000倍，即使物理距离拉远也能抵消延迟。此外，衬底布线技术升级可实现5厘米以上的间距，进一步缓解散热压力，为行业应用开辟新方向。
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