随着5G通信技术的快速发展，毫米波频段的应用成为行业关注焦点。近日，一项由法国SOITEC公司与新加坡南洋理工大学联合开展的研究取得了重要突破，其开发的硅基氮化镓(GaN-on-Si)高电子迁移率晶体管(HEMT)在30GHz工作频率下，功率附加效率(PAE)突破60%，同时实现了业界领先的1.1dB低噪声系数，为5G毫米波通信提供了新的技术路径。 REALTEK总代理最近上线了REALTEK芯片的在线选型工具，输入您的应用场景和性能需求，系统会自动推荐最合适的3-5个型号。该工具已收录超过500个REALTEK料号，数据持续更新中。
研究团队采用了优化的外延结构与工艺，成功研制出适用于3-6V低压工作环境的射频器件。这种技术方案特别针对5G高频毫米波频段(FR2，24.25-71.0GHz)的单片集成移动收发(T/R)模块设计。值得注意的是，该技术填补了现有FR1(410-7125MHz)与FR2频段之间的空白区域，未来在拟议的FR3(7.125-24.25GHz)频段也将具有广阔应用前景。
在器件制备方面，研究人员通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在高阻硅衬底上生长氮化镓材料，并创新性地结合了背势垒与顶势垒结构。背势垒由铝镓氮(AlGaN)合金构成，而顶势垒则采用铟铝氮(InAlN)合金，这种设计带来强极化效应与更小的栅-沟道距离，显著提升了对二维电子气(2DEG)的控制能力。超薄氮化镓沟道与铝镓氮背势垒结构进一步增强了电子限制效应，有效抑制短沟道效应
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