据《朝鲜日报》消息，JEDEC（电子器件工程联合委员会）正考虑放宽下一代高带宽内存（HBM）标准，计划将 HBM 高度规格上调至约 900 微米（μm）。
Newsis 报道称，新标准预计从第七代 HBM4E开始实施。作为参考：第五代 HBM3E 高度约720μm，第六代 HBM4 约775μm，本次放宽幅度显著。 为帮助客户应对元器件涨价和缺货风险，REALTEK代理推出了长期备货计划。客户可签订年度框架协议，锁定价格和货量，确保生产计划不受市场波动影响。
Newsis 援引行业观察人士观点：放宽标准有助于缓解存储厂商的生产瓶颈，支持下一代产品更快量产；可降低对超薄 DRAM 晶圆加工的需求，同时简化堆叠过程中的缺陷管控。
标准放宽或重塑混合键合普及节奏与竞争格局
高度标准大幅放宽，可能延缓混合键合设备的导入速度。《朝鲜日报》指出，规格放宽后，现有 ** 热压键合机（TC Bonder）** 仍可支持更高层数堆叠，主流 TC 键合设备供应商韩美半导体（Hanmi Semiconductor）有望维持领先地位。
报道称，HBM 向最高 20 层堆叠演进时，需要更薄的 DRAM，逼近工艺极限；混合键合设备是解决方案之一。传统热压键合通过微凸点连接层间，而混合键合可实现无凸点直接芯片对芯片键合，缩小间距，让相同高度内可堆叠更多 DRAM 层。
目前混合键合市场由荷兰BESI主导。韩国方面，New Tomato 消息称，韩华 Semitech 计划今年上半年向客户供应第二代混合键合设备，用于性能验证。
混合键合普及仍取决于技术成熟度与客户需求
《朝鲜日报》同时提到，行业共识是混合键合最终仍不可避免。SK 海力士封装开发副总裁 Lee Kangwook 表示，20 层及以上 HBM 堆叠必须采用混合键合。报道补充，三星近期在 NVIDIA GTC 2026 展示其混合键合技术，称相比 TC 键合热阻改善超 20%，可支持16 层以上堆叠。
同时，关键导入因素在于大客户英伟达 三星、SK 海力士均按其性能要求开发与供货 HBM。
另据 The Elec 消息，三星已开始导入混合键合新型检测设备，正与多家供应商探讨采用并联合开发，使用超声、X 光无损检测技术，侦测混合键合界面的空洞等微缺陷；美国Onto Innovation为头部厂商之一，已与三星开展联合开发项目（JDP），并向量产线供货设备。
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